設(shè)備穩(wěn)定性高

率先采用英特爾CPLD可編程器件作為中央處理器，具有極高的處理速度，保證了裝置各項(xiàng)功能高效有序的運(yùn)行，極速保護(hù)技術(shù)減少損壞的幾率和元器件損失的數(shù)量，提高逆變效率和整機(jī)壽命。

電源內(nèi)部的10V基準(zhǔn)電壓采用美國ADI公司的電壓基準(zhǔn)源專用集成芯片，讓保護(hù)電路運(yùn)行準(zhǔn)確、可靠。

所以，IGBT高頻電源穩(wěn)定性遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于MOSFET電源和電子管電源，設(shè)備全壽命成本大大降低。MOSFET電源因?yàn)槠鋬?nèi)部逆變橋由上百個(gè)小MOSFET管并聯(lián)而成，通過變壓器進(jìn)行功率合成等手段，對(duì)同步性和器件一致性要求非常高，因而， MOSFET電源故障點(diǎn)較多，反饋速度慢，保護(hù)遲緩，一旦發(fā)生故障，損壞元器件較多。

完善的用戶接口：包括光藕隔離的開關(guān)量輸入和輸出信號(hào)，模擬量輸入、輸出信號(hào)采用美國ADI公司專用芯片隔離控制，電源具有對(duì)外的報(bào)警及故障信號(hào)通過BCD8421碼光藕隔離傳送到機(jī)床側(cè)，可以實(shí)時(shí)了解電源的運(yùn)行狀況。

 

設(shè)備高控制精度，高效率性

量轉(zhuǎn)換率高，電子管電源輻射大，對(duì)操作人員及周邊設(shè)備均有影響，能量轉(zhuǎn)換率不足60%；MOSFET管電源的能量轉(zhuǎn)換率為82%左右；IGBT高頻電源能量轉(zhuǎn)換率大大提高，達(dá)到92%，有效降低能耗。

電子管電源只有電壓電流儀表，沒有準(zhǔn)確的頻率測(cè)量，而IGBT高頻電源的波形純度高，輸出頻率穩(wěn)定，附加效應(yīng)少，便于工藝控制。

 

設(shè)備的低能耗

高可靠性的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，全面的智能化保護(hù)系統(tǒng)，選用全球知名品牌元器件，加工時(shí)間的縮短、生產(chǎn)能力的提高和感應(yīng)加熱裝置品質(zhì)的可靠性使運(yùn)行成本降低。

各種熱處理工序能耗比較：

工序名稱	每噸零件能耗/（KW·h/t）
	最 高	最 低	平 均	與感應(yīng)相比
箱式爐低于900℃淬火時(shí)	693	242	448
鹽溶爐低于900℃淬火時(shí)	1760	712	1250
井式爐低于900℃淬火時(shí)	1227	426	748
保護(hù)氣氛爐低于900℃淬火時(shí)	9965	344	726
鹽溶爐高于1000℃淬火時(shí)	4457	1171	2928
調(diào)  質(zhì)	1147	516	844
正  火	535	329	442
退  火	901	420	580
鹽爐生產(chǎn)線	7532	5501	6459
高頻淬火	339	267	327	1.0
中頻淬火	379	124	268
真空淬火	1738	838	1401
氣體滲碳	1958	755	1324	4.4
氣體碳氮共滲	1705	555	1708	5.7
氣體滲氮	1540	451	993	3.3
高濕回火	334	216	290
中低濕回火	198	115	166

 

 

凱隆第三代數(shù)字型感應(yīng)加熱裝置概述。

   凱隆第三代IGBT電源人機(jī)接口采用7寸工業(yè)觸摸屏，該觸摸屏能夠顯示電源工作的實(shí)時(shí)狀態(tài)及電源參數(shù)（如:直流電壓、直流電流、逆變功率、諧振頻率、水溫等）的實(shí)時(shí)信息，并且能夠顯示故障報(bào)警信息及針對(duì)相應(yīng)報(bào)警信息的處理方法，該屏還能顯示能量監(jiān)控的實(shí)時(shí)曲線。

智能化保護(hù)系統(tǒng)：冷卻水壓力不穩(wěn)、溫度過高、三相電源缺相、冷態(tài)工件碰到感應(yīng)器（接地保護(hù)）等情況下，確保電源逆變器禁止輸出功率；實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)始終保證IGBT工作在最佳軟開關(guān)狀態(tài)，使開關(guān)損耗、電壓和電流沖擊、局部溫升等參數(shù)達(dá)到最低，既避免了因逆變狀態(tài)偏離最佳時(shí)引起的逆變效率降低，又解決IGBT老化加速（如使用一年后莫名損壞）及后期維護(hù)成本高等問題。